Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Саурова Дослідження транспортних властивостей електронів$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Саурова T. А. Дослідження транспортних властивостей електронів у нітридах індію і галію [Електронний ресурс] / T. А. Саурова, О. В. Семеновська, М. Г. Ємельянов // Вісник Київського політехнічного інституту. Серія : Приладобудування. - 2020. - Вип. 60(2). - С. 32-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_prylad_2020_60(2)__7 Нові можливості при створенні напівпровідникових приладів відкривають трикомпонентні напівпровідники. Одним з перспективних трикомпонентних напівпровідників є нітрид індію-галію InxGa1-xN, який розглядають як твердий сплав бінарних сполук - нітриду індію InN і нітриду галію GaN. Прогнозування перспектив створення приладів на основі InxGa1-xN можливо при грунтовному дослідженні електричних властивостей складових його бінарних нітридів; нітриду індію і нітриду галію. У науковій літературі для вказаних нітридів переважають дослідження холлівської рухливості, температурна залежність якої описана у вузькому діапазоні значень концентрації домішки, та відповідність результатів моделювання експериментальним отримують введенням коригувальних коефіцієнтів. Мета роботи - розрахунок для InN і GaN температурної залежності дрейфової рухливості електронів у широкому діапазоні ступеня легування напівпровідників і вибір вихідних параметрів матеріалів, що дозволяють отримати найкращу відповідність експериментальним результатам. Для досліджених нітридів проведено чисельне моделювання процесів розсіювання для типових видів домішкового (на нейтральних атомах та іонах домішки) і фононного (акустичне, полярне оптичне, міждолинне) механізмів; розраховані та проаналізовані значення швидкостей розсіювання імпульсу. Вперше для нітридів індію та галію розрахована температурна залежність дрейфової рухливості електронів у широкому діапазоні значень концентрації легуючої домішки. Проведена верифікація результатів моделювання. Розраховані поле-швидкісні характеристики методом релаксаційних рівнянь та зіставлені з результатами, отриманими методом Монте-Карло. Для досліджуваних нітридів запропоновані вихідні параметри, що забезпечують узгодження з експериментальними даними при моделюванні транспортних властивостей електронів у режимі слабкого електричного поля. Результати чисельного моделювання вказують на перспективність створення на основі InN і GaN високоефективних, швидкодіючих, потужних приладів різного призначення.
|
|
|